供需对接会
本报告以中国市场要求为基础，采用最新的数据，分别从产业规模、产品生产能力、研发和产业发展投入、专利情况、从业人员情况等方面对国内硅衬底材料产业进行分析。报告完成于2016年11月。报告目录：1我国硅衬底材料总体产业规模2硅衬底材料行业主要产品生产能力3我国硅衬底材料行业研发投入情况4硅衬底材料行业产业发展投入5硅材料行业拥有专利情况6硅材料产业从业人员状况图表目录图12005-2016年硅衬底材料
11月8日上午，宁波江丰电子材料股份有限公司和美国嘉柏微电子材料股份有限公司在上海新国际博览中心举行双方签约仪式，正式宣布就半导体集成电路化学机械研磨用（CMP）抛光垫项目进行合作。 江丰电子董事长姚力军博士与美国嘉柏总裁兼CEODavidH.Li先生分别代表两家企业在协议书上郑重签字。集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟石瑛秘书长见证了本次签约仪式。 超大规模集成电路制造是高新技
2016年10月20日至24日，国际材联最重要的系列会议之一，第17届亚洲材料大会(IUMRS-ICA2016)在山东省青岛市国际会展中心隆重举行。本次大会共27个分会，主题涵盖能源与环境材料、先进结构材料、功能材料、生物材料、材料模拟-计算与设计等五大热点领域。 由集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟承办，中科院上海微系统与信息技术研究所和北京多维电子材料技术开发与促进中心共同支持的“先进
材料和零部件联盟于青岛成功举办“集成电路芯片制造工艺及集成技术”课程培训
2016年10月25日，集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟(以下简称“材料和零部件联盟”)于青岛成功举办“集成电路芯片制造工艺及集成技术”课程培训。会议邀请了材料和零部件联盟专家咨询委员会委员、美国IBMT.J.Watson研究院研究员林庆煌博士授课，林博士拥有十年在美国讲授本课程的经验。会议吸引了20余名代表参加。石瑛秘书长在开班讲话时，强调了本次课程的重要意义并充分肯定了大家强烈的学习热
2016国际平坦化技术大会(ICPT 2016)在中国大陆首次成功举办
2016国际平坦化技术大会(InternationalConferenceonPlanarization/CMPTechnology，ICPT)于2016年10月17-19日在北京友谊宾馆圆满举行。ICPT是平坦化领域的规模最大、参与人数最多的国际盛会，每年一次，在美国、欧洲、日本、韩国、中国台湾、中国大陆等6个国家或地区轮流举办，今年是ICPT第一次在中国大陆举办。本次会议由中国平坦化技术联盟和
2016年10月9日，集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟与华天科技(昆山)电子有限公司，在昆山联合组织召开了“晶圆级封装国产材料应用研讨会”。研讨会以“密切工艺开发与材料技术结合，推动晶圆级封装技术和材料创新发展并加快材料国产化”为主题，就增进华天科技与各材料企业相互了解、促进晶圆级封装新产品新工艺开发中与国内材料企业的合作、互利共赢、共同发展等议题开展了深入的探讨。 华天科技(昆山)电子
北京时间10月7日晚间消息，美国劳伦斯伯克力国家实验室(以下简称“伯克力实验室”)教授阿里-加维(AliJavey)领导的一个研究小组日前利用碳纳米管和一种称为二硫化钼的化合物开发出了全球最小的晶体管。晶体管由三个终端组成：源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)。电流从源极流到漏极，由栅极来控制，后者会根据所施加的电压打开和关闭。伯克力实验室研究人员苏杰伊-德赛(SujayDe
2016年9月2-3日，由集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟(以下简称“材料和零部件联盟”)与中芯国际共同举办的“中芯国际集成电路材料和零部件批量应用供需对接会”于北京顺利举行。2日下午，会议分六个专业组进行了对接交流，各组分别听取了材料和零部件企业基本情况和产品市场扩展介绍以及中芯国际国产材料和零部件需求、验证流程及质量评估体系。3日上午举行了以“密切合作、相互支撑、共生共赢、协同发展”为
2016年9月3日，集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟(以下简称“材料和零部件联盟”)于北京组织召开关键零部件技术与产业发展路线图工作组第一次会议。会议主要针对《路线图》编制提纲以及下一步工作安排进行了讨论。科技部重大专项办邱钢处长、中国电子科技集团朱利宏副总工程师、中芯国际营运效率优化处郑敬德资深总监、集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟石瑛秘书长以及《路线图》专业工作组代表等40余人
陶氏发表OPTIPLANE 先进半导体制造化学机械研磨液(CMP)平台
全球CMP消耗品市场持续成长，部分的成长驱动力来自新的3D逻辑、NAND快闪记忆体和封装应用，这些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合无数先进电子装置的性能需求。 「生产先进半导体晶圆的逻辑和记忆体晶片公司面临越来越多的挑战，要能满足不断改变的需求，增强性能,降低成本和同时提高最大产量。CMP因此成为半导体製造过程中的关键因素，而且CMP的使用正持续增加。」陶氏电子材料CMP科技
作者：应用材料公司金属沉积产品事业部接触和中段产品线全球经理JonathanBakke在早先的技术节点中，由于器件尺寸较大，能采用成核及平整化化学气相沉积（CVD）技术进行钨（W）填充。如今，由于插塞处的超小开口很容易发生悬垂现象，因此薄膜表面均匀生长的共形阶段可能在填充完成前就关闭或夹断，从而留下孔洞。即使没有孔洞，由于填充物从侧壁生长，在共形沉积时必然会在中间形成中心缝隙问题。 这些属性使极
全球光刻胶专利按有效专利拥有量排名前十的专利权人如下图所示，依次为日本东京应化、日本信越化学、美国陶氏化学、日本住友化学、日本富士胶片、美国安智电子、日本合成橡胶、韩国东进世美肯、美国IBM、韩国三星电子。其中日本企业5家，美国企业3家，韩国企业2家。各个公司光刻胶专利申请量、法律状态、公开国情况、尤其是技术特长有很大的差别。 材料和零部件联盟对全球光刻胶专利进行了系统而深入的分析，包括全球
全球光刻胶研制专利共5483件，其中光刻胶用树脂专利为3726件，这些树脂专利的具体分类及各类专利所占比例见上图。目前光刻胶用树脂专利中G、I线，248nm，193nm，DUV，浸没式193nm光刻胶占树脂专利的88%，其中DUV是指既可用于248nm光刻胶也可用于193nm光刻胶的树脂专利，浸没式193nm是指专门用于浸没式193nm光刻胶的树脂专利。目前产业界中产值最大的光刻胶也主要是G、I线
我国半导体制造工艺重大突破，中芯长电14纳米中段硅片加工量产
7月28日，中芯长电半导体有限公司14纳米凸块加工量产仪式在江阴举行。这标志着我国半导体制造的中段工艺推进到了国际最先进的量产工艺技术产业链。中芯长电半导体是由中芯国际、长电科技、国家集成电路产业投资基金、美国高通公司共同投资建设的国内首条12英寸中段硅片制造项目。随着移动智能时代的发展，集成电路芯片对性能、功耗、面积的要求越来越高，传统的芯片架构已经显得越来越力不从心，中段工艺在半导体制造产业链
2016年7月26日，长江存储科技有限责任公司（以下简称长江存储）正式成立。公司注册资本分两期出资，一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，并在武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称武汉新芯）的基础上建立长江存储。赵伟国任长江存储董事长，丁文武和杨道虹任副董事长，王继增任监事长，杨士宁任总经理。武汉新芯将是长江存储的
