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邀请报告嘉宾王桂磊
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邀请报告嘉宾王桂磊

中国科学院微电子研究所先导工艺研发中心工程师
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  王桂磊,中国科学院微电子研究所先导工艺研发中心工程师,目前攻读博士学位。其间,参加国家科技02重大项目,从事集成电路先进薄膜工艺的研发。在锗硅源漏应变(SiGe S/D Strain)和原子层淀积钨金属栅(ALD W Metal Gate)等领域里做出过重要工作。他拥有包括在12英寸和8英寸集成电路生产线上的丰富的研发工作经验。目前他已在国际学术期刊和会议上发表科研论文20多篇。此外,完成发明专利申请23项,其中已获美国专利授权3项。

  报告题目:锗硅材料的选择性生长及在集成电路中的应用研究

  报告简介:锗硅应变材料被广泛应用于集成电路PMOS源漏结构中增强沟道载流子迁移率,并提升器件性能。本文主要研究选择性外延生长锗硅(Si1-xGex,0.3≤x≤0.40)和原位掺杂硼(1×1020cm-3)集成应用于22nm平面和14/16 nm 三维FinFET源漏结构中的关键问题。通过实验详细地研究了锗硅的选择性外延生长质量,锗浓度的分布以及锗的浓度对应变产生量的影响。同时对锗硅选择性外延生长过程中的预烘烤工艺温度对材料生长质量和器件集成时源漏硅槽或硅鳍形貌的影响也进行了系统的分析,并找到了硅槽或硅鳍形貌损伤最小的热预算温度。另外,在本研究中还建立了锗硅反应的气体动力学模型,通过实际的反应参数来模拟研究不同露硅图形面积对锗硅生长速率、形貌和产生的应变量的影响,并在实际生长测试结果中得到了验证,此研究成果为锗硅材料在大规模器件集成应用中优化版图设计提供了理论基础。

 

 

王桂磊(右)

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