苏州国家实验室信息材料负责人，江苏第三代半导体研究院，院长；中科院苏州纳米所，研究员、博士生导师，国家杰出青年基金获得者，国家特聘专家，科技部中青年科技领军人才。1995年以来长期从事氮化物半导体材料生长和装备研究，是国际上最早发现InN窄带隙的研究者之一；对氮化镓材料生长的极性选择有系统的研究；研制成功高质量完整2英寸单晶氮化镓衬底，并实现了产业化制备（创办了苏州纳维科技有限公司），完成了4英寸氮化镓单晶的工程化研发，近期突破了6英寸GaN单晶的关键技术，在产品水平和研发水平保持国际前三。面向纳米材料与器件的前沿研究，开展纳米尺度空间分辨的综合光电测试技术与装备研制，空间分辨可以达到了30nm，实现了单个位错附近的光生载流子分布测量。发表论文130余篇，申请专利100余项，国际会议特邀报告20余次。任2023年即将在日本福田召开的国际氮化物半导体会议（ICNS）主席共同主席，该会议是国际上第三代半导体最重要的会议，每两年组织一次，在亚洲、欧洲、美国三个地方轮流召开。十二五科技部863新材料领域纳米主题专家组专家，十三五科技部战略性先进电子材料专家组专家、第三代半导体专家组副组长，十四五科技部新型显示与先进电子材料专家组专家，中国电子学会电子材料专业委员会副主任委员，中国光学学会光学材料委员会副主任委员，2021年起任江苏省纳米产业链首席科学家。