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北京市海淀区知春路27号量子芯座

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磷酸(H3PO4,浓度86%)

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湖北兴福电子材料有限公司
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湿法刻蚀中的关键化学品,可通过化学反应去除氮化硅膜,达到基片表面保护层完好剥除和基材完整性的要求。金属离子<50ppb,particle:0.5um<20、0.3um<50、0.2um<200。

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