供需对接会
根据《团体标准管理规定》及《集成电路材料产业技术创新联盟标准制定程序》要求，经联盟标准委员会审议通过，现批准发布如下2项团体标准：T/ICMTIA1-2019《集成电路材料产业技术创新联盟气体基础规范》T/ICMTIA2-2019《集成电路用过氧化氢》 以上标准于2019年4月17日发布，并于2019年10月10日开始实施，特此公告。 附1：《集成电路材料产业技术创新联盟气体基础规范》目录附2：《
根据《团体标准管理规定》及《集成电路材料产业技术创新联盟标准制定程序》要求，经联盟标准委员会审议通过，现批准发布如下2项团体标准：T/ICMTIA1-2019《集成电路材料产业技术创新联盟气体基础规范》T/ICMTIA2-2019《集成电路用过氧化氢》 以上标准于2019年4月17日发布，并于2019年10月10日开始实施，特此公告。
根据《团体标准管理规定》及《集成电路材料产业技术创新联盟标准制定程序》要求，经联盟标准委员会审议通过，现批准发布如下2项团体标准：T/ICMTIA1-2019《集成电路材料产业技术创新联盟气体基础规范》T/ICMTIA2-2019《集成电路用过氧化氢》 以上标准于2019年4月17日发布，并于2019年10月10日开始实施，特此公告。
联盟组织会员单位参加“标准编制与审查及TCS软件实操” 培训
2019年4月1日-3日，集成电路材料联盟组织会员单位报名参加了由中国标准出版社质量与标准化事务所在苏州举办的“标准编制与审查及TCS软件实操”培训班。
世界级 中国造 多氟多电子级化学品实现进口替代亮相半导体展会
2019年3月20至22日，由国际半导体设备材料产业协会（SEMI)和中国电子商会（CECC）共同举办的全球规模最大、规格最高的半导体产业年度盛会——“SEMICONChina2019”在上海新国际博览中心举行。多氟多携电子级氢氟酸、电子级硫酸、电子级硝酸、甲硅烷等系列产品参展。
2019年3月20日至22日，由国际半导体设备材料产业协会（SEMI）和中国电子商会（CECC）共同举办的全球规模最大、规格最高、参展人数最多的半导体年度盛会SEMICONChina在上海新国际博览中心隆重举行。
3月20至22日，全球规模最大、规格最高的半导体产业年度盛会——“SEMICONChina2019”在上海新国际博览中心隆重召开。中巨芯科技有限公司（以下简称“中巨芯”）携手旗下浙江凯圣氟化学有限公司和浙江博瑞电子科技有限公司参展“集成电路材料产业联盟”专区。
材料联盟组织成员单位参加SEMICON China 2019
2019年3月20日，一年一度的半导体行业盛会SEMICON China 2019在上海新国际博览中心盛大开幕。
2019集成电路产业链协同创新发展交流会暨集成电路产业技术创新战略联盟大会在京召开
2019年2月23日，集成电路产业技术创新战略联盟（以下简称“联盟”）在北京举办了“2019集成电路产业链协同创新发展交流会暨集成电路产业技术创新战略联盟大会”。
2019年1月10日，集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟（以下简称“ICMTIA”）标准委员会在北京举行了团体标准审查会。 会议现场 会议由标准委员会主任刘兵主持，审查组专家及部分相关单位的领导和工程技术人员出席了本次会议。会议审查了由ICMTIA归口，由中国船舶重工集团公司第七一八研究所、江苏南大光电材料股份有限公司起草的《集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟气体基础规范》和由苏州晶瑞
联盟秘书长石瑛受邀出席IC China 2018并主持分论坛
12月11日，由工业和信息化部、上海市人民政府指导，中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院主办，北京赛迪会展有限公司、中国电子报社、上海市集成电路行业协会承办的“首届全球IC企业家大会暨第十六届中国国际半导体博览会(ICChina2018)”在上海隆重开幕。中国半导体行业协会支撑业分会秘书长、集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟秘书长石瑛受邀出席大会，并与中国半导体行业协会副理事长于燮
11月8日，第十三届中国集成电路产业促进大会在重庆南坪会展中心举办，大会以“芯时代、芯作为”为主题，发布了2018年“中国芯”优秀产品征集结果，同时举办了半导体硅材料、功率半导体、人工智能、5G通信、驱动IC高端专题研讨会。集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟秘书长、国家02专项总体组专家石瑛受邀出席大会，并在半导体硅材料研讨会作题为《中国半导体硅材料产业现状与发展展望》的专题报告。本次半导体
有研亿金超高纯镍铂靶、钴靶亮相“庆祝改革开放40周年大型展览”
2018年11月初，在国家博物馆举行的“伟大的变革——庆祝改革开放40周年大型展览”上，受国家重点研发计划“重点基础材料技术提升与产业化”重点专项支持、有研亿金“大规格稀有/稀贵金属靶材制造技术”项目研发的12英寸超高纯NiPt靶、12英寸超高纯Co靶精彩亮相，标志着我国在集成电路用关键基础材料领域通过自主研发取得了重大突破。在半导体器件中，具有铁磁性的NiPt合金靶材和Co靶材是制备肖特基二极管
