产品描述
霍宗亮，北京大学微电子学与固体电子学专业博士，长江存储首席科学家，集团创新研究院院长。20余年来一直从事存储技术研发工作，2014年加入武汉新芯，后转入长江存储科技有限责任公司负责3D NAND存储器的技术研发工作。成功完成32/64/128/2YY层的3D NAND闪存技术与产品的研发并实现量产。霍宗亮博士在半导体存储器领域已发表论文百余篇，出版专著两部，申请国内外专利五百余项。
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霍宗亮，北京大学微电子学与固体电子学专业博士，长江存储首席科学家，集团创新研究院院长。20余年来一直从事存储技术研发工作，2014年加入武汉新芯，后转入长江存储科技有限责任公司负责3D NAND存储器的技术研发工作。成功完成32/64/128/2YY层的3D NAND闪存技术与产品的研发并实现量产。霍宗亮博士在半导体存储器领域已发表论文百余篇，出版专著两部，申请国内外专利五百余项。