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北京市海淀区知春路27号量子芯座

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重庆超硅半导体有限公司
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重庆超硅半导体有限公司

Chongqing Advanced Silicon Technology Co.,Ltd.
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产品分类   二级分类 产品名称 图片介绍 生产厂家 产品特征
衬底材料 抛光硅片 直径200mm抛光硅片(8")   重庆超硅半导体有限公司 Type: N, P;
Orientation: <100>,<111>,<110>,<112>;
Dopant: B, P, As, Sb, Red-ph;
Resistivity: heavily doped, lighted doped, high resistivity etc;
Thickness: 725±25μm;
TTV: ≤10μm;
Particle: <20, @0.2μm.
衬底材料 氩气退火片 直径200mm氩气退火片(8")   重庆超硅半导体有限公司 Type: N, P;
Orientation: <100>,<111>,<110>,<112>;
Dopant: B, P, As, Sb, Red-ph;
Resistivity: heavily doped, lighted doped, high resistivity etc;
Thickness: 725±25μm;
TTV: ≤10μm;
Particle: <20, @0.2μm.
衬底材料 高阻片 直径200mm高阻片(8")   重庆超硅半导体有限公司 Type: N, P;
Orientation: <100>,<111>,<110>,<112>;
Dopant: B, P, As, Sb, Red-ph;
Thickness: 725±25μm;
TTV: ≤10μm;
Particle: <20, @0.2μm.
衬底材料 外延片 直径200mm外延片(8")   重庆超硅半导体有限公司 Type: N, P;
Orientation: <100>,<111>,<110>,<112>;
Dopant: B, P, As, Sb, Red-ph;
Thickness: 725±25μm;
TTV: ≤10μm;
Particle: <20, @0.2μm.
衬底材料 Low-Cop片 直径200mm Low-COP片(8")   重庆超硅半导体有限公司 Type: N, P;
Orientation: <100>,<111>,<110>,<112>;
Dopant: B, P, As, Sb, Red-ph;
Resistivity: heavily doped, lighted doped, high resistivity etc;
Thickness: 725±25μm;
TTV: ≤10μm;
Particle: <20, @0.2μm.
衬底材料 Cop-Free片 直径200mm COP-Free片(8")   重庆超硅半导体有限公司 Type: N, P;
Orientation: <100>,<111>,<110>,<112>;
Dopant: B, P, As, Sb, Red-ph;
Resistivity: heavily doped, lighted doped, high resistivity etc;
Thickness: 725±25μm;
TTV: ≤10μm;
Particle: <20, @0.2μm.
衬底材料 抛光硅片 直径300mm抛光硅片(12")   重庆超硅半导体有限公司 Type: N, P;
Orientation: <100>;
Dopant: B, P;
Resistivity: lighted doped, heavily doped, high resistivity;
Thickness: 775±25μm;
TTV: GBIR<8μm;
Particle: <100, @0.12μm.
衬底材料 外延片 直径300mm外延片(12")   重庆超硅半导体有限公司 Type: N, P;
Orientation: <100>;
Dopant: B, P;
Resistivity: lighted doped, heavily doped, high resistivity;
Thickness: 775±25μm;
TTV: GBIR<8μm;
Particle: <100, @0.12μm.
衬底材料 氩气退火片 直径300mm氩气退火片(12")   重庆超硅半导体有限公司 Type: N, P;
Orientation: <100>;
Dopant: B, P;
Resistivity: lighted doped, heavily doped;
Thickness: 775±25μm;
TTV: GBIR<8μm;
Particle: <100, @0.12μm.
衬底材料 高阻片 直径300mm高阻片(12")   重庆超硅半导体有限公司 Type: N, P;
Orientation: <100>;
Dopant: B, P;
Thickness: 775±25μm;
TTV: GBIR<8μm;
Particle: <100, @0.12μm.

 

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重庆市 北碚区 水土高新技术产业园云汉大道5号附188号

暂未实现,敬请期待
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