联系我们 English

搜索

icmtia＠icmtia.com

北京市海淀区知春路27号量子芯座

备案号：京ICP备2023016314号版权所有：集成电路材料产业技术创新联盟中关村集成电路材料产业技术创新联盟网站建设：中企动力北京

1

>

>

>

>

重庆超硅半导体有限公司

浏览量：

重庆超硅半导体有限公司

Chongqing Advanced Silicon Technology Co.,Ltd.

主要产品及性能介绍

联系方式

产品分类	二级分类	产品名称	图片介绍	生产厂家	产品特征
衬底材料	抛光硅片	直径200mm抛光硅片（8"）		重庆超硅半导体有限公司	Type: N, P; Orientation: <100>,<111>,<110>,<112>; Dopant: B, P, As, Sb, Red-ph; Resistivity: heavily doped, lighted doped, high resistivity etc; Thickness: 725±25μm; TTV: ≤10μm; Particle: ＜20, @0.2μm.
衬底材料	氩气退火片	直径200mm氩气退火片（8"）		重庆超硅半导体有限公司	Type: N, P; Orientation: <100>,<111>,<110>,<112>; Dopant: B, P, As, Sb, Red-ph; Resistivity: heavily doped, lighted doped, high resistivity etc; Thickness: 725±25μm; TTV: ≤10μm; Particle: ＜20, @0.2μm.
衬底材料	高阻片	直径200mm高阻片（8"）		重庆超硅半导体有限公司	Type: N, P; Orientation: <100>,<111>,<110>,<112>; Dopant: B, P, As, Sb, Red-ph; Thickness: 725±25μm; TTV: ≤10μm; Particle: ＜20, @0.2μm.
衬底材料	外延片	直径200mm外延片（8"）		重庆超硅半导体有限公司	Type: N, P; Orientation: <100>,<111>,<110>,<112>; Dopant: B, P, As, Sb, Red-ph; Thickness: 725±25μm; TTV: ≤10μm; Particle: ＜20, @0.2μm.
衬底材料	Low-Cop片	直径200mm Low-COP片（8"）		重庆超硅半导体有限公司	Type: N, P; Orientation: <100>,<111>,<110>,<112>; Dopant: B, P, As, Sb, Red-ph; Resistivity: heavily doped, lighted doped, high resistivity etc; Thickness: 725±25μm; TTV: ≤10μm; Particle: ＜20, @0.2μm.
衬底材料	Cop-Free片	直径200mm COP-Free片（8"）		重庆超硅半导体有限公司	Type: N, P; Orientation: <100>,<111>,<110>,<112>; Dopant: B, P, As, Sb, Red-ph; Resistivity: heavily doped, lighted doped, high resistivity etc; Thickness: 725±25μm; TTV: ≤10μm; Particle: ＜20, @0.2μm.
衬底材料	抛光硅片	直径300mm抛光硅片（12"）		重庆超硅半导体有限公司	Type: N, P; Orientation: <100>; Dopant: B, P; Resistivity: lighted doped, heavily doped, high resistivity; Thickness: 775±25μm; TTV: GBIR＜8μm; Particle: ＜100, @0.12μm.
衬底材料	外延片	直径300mm外延片（12"）		重庆超硅半导体有限公司	Type: N, P; Orientation: <100>; Dopant: B, P; Resistivity: lighted doped, heavily doped, high resistivity; Thickness: 775±25μm; TTV: GBIR＜8μm; Particle: ＜100, @0.12μm.
衬底材料	氩气退火片	直径300mm氩气退火片（12"）		重庆超硅半导体有限公司	Type: N, P; Orientation: <100>; Dopant: B, P; Resistivity: lighted doped, heavily doped; Thickness: 775±25μm; TTV: GBIR＜8μm; Particle: ＜100, @0.12μm.
衬底材料	高阻片	直径300mm高阻片（12"）		重庆超硅半导体有限公司	Type: N, P; Orientation: <100>; Dopant: B, P; Thickness: 775±25μm; TTV: GBIR＜8μm; Particle: ＜100, @0.12μm.