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博纯材料股份有限公司
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博纯材料股份有限公司

Spectrum Materials Corporation Limited
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特种电子气体 外延 扩散 锗烷混气 博纯材料股份有限公司

  锗烷(GeH4)是作为高纯单质锗的重要来源之一,在半导体工艺中主要应用在SiGe Epi工艺的应用;CMOS外延工艺等。

  锗烷是国家战略性新兴产业的关键材料,2009 年以前我国高纯锗烷基本完全依赖进口,彼时全球 90%以上的锗烷市场由欧美公司垄断,除了进口价格昂贵外,常常因国际形势紧张和变化而受到阻碍。2009年,博纯材料通过在福建泉州建立的全球领先的锗烷(GeH4)生产基地,一举打破了锗烷的进口垄断。

特种电子气体  外延 扩散 乙硼烷混气 博纯材料股份有限公司

乙硼烷(B2H6)是半导体制造过程中的重要P型掺杂沉积源,和还原气体。应用于外延成膜工艺。

博纯材料在生产乙硼烷的过程中,通过内部合成、纯化,控制全过程温度、压力、流量,减少副产物和污染物的形成,全面提高产品质量;尤其在产品分析过程中,鉴定物种并量化浓度。同时凭借内部网络降低地理风险。

特种电子气体  外延 磷烷混气 博纯材料股份有限公司

磷烷(PH3)作为半导体器件制造中的重要 N型掺杂源,广泛的应用在外延沉积工艺中,使材料具有所需的导电类型和一定的电阻率。

博纯的在磷烷的混配工艺、浓度区间方面都达到了精准的工艺管控。

特种电子气体 离子注入 SDS产品(SDS PH3, SDS ASH3, SDS BF3) 博纯材料股份有限公司 SDS通过优化吸附介质的表现形式,获得更大的延展面积,来吸附更多的气体,从而可以存储和输出更多的气体。 同时,可降低现场工作风险,增加应急处理时间,增强设备可靠性。
特种电子气体 离子注入 VAC混气 博纯材料股份有限公司

非剧毒性气体,利用双压调节技术阀门降低漏气风险,确保现场安全。稳定一致的负压气体输出,增强设备可靠性。

特种电子气体  刻蚀 氪气 博纯材料股份有限公司 氪气(Kr)刻蚀气体。博纯的纯化工艺可提供纯度达5N的氪气。
特种电子气体   离子注入 氙气 博纯材料股份有限公司 氙气(Xe)离子材料注入气体。氙气可以用于制造半导体器件的离子注入过程,帮助增强材料的电导率或电阻率,提升半导体的性能。博纯的纯化工艺可提供纯度达5N以上的氙气

 

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