“智存未来”先进存储协同创新论坛暨先进存储供应链高质量发展交流会顺利召开

来源：

ICMtia

2024/11/19

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2024年11月19日，“智存未来”先进存储协同创新论坛暨先进存储供应链高质量发展交流会在北京顺利召开。作为世界集成电路大会的主题论坛之一，智存未来”先进存储协同创新论坛在中国半导体行业协会指导下，由中国半导体行业协会半导体支撑业分会（以下简称“分会”）、集成电路材料产业技术创新联盟（以下简称“材料联盟”）、长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）、北京超弦存储器研究院共同承办。论坛以智存未来为主题，聚焦加强国内集成电路产业先进存储技术协同创新。

“智存未来”先进存储协同创新论坛现场

中国半导体行业协会王俊杰执行秘书长参加会议并致辞，长鑫科技供应链团队出席了会议。支撑业分会会员、材料联盟会员、科研院所代表共计约260人参加了论坛。

王俊杰秘书长在致辞中表示我们正处在一个数据爆炸式增长的时代，数据的存储是推动各行各业变革和创新的引擎，是迈向数字化智能化的重要基石。智能化让存储技术更贴合复杂的应用场景，提升数据的存储效率和检索速度。他特别强调了协同创新的重要性，在跨领域深度融合的科技发展趋势下，重大技术突破需要产学研用的紧密合作。王秘书长希望通过今天的协同创新深入探讨，能够为未来存储行业绘制一幅充满无限可能的宏伟蓝图，让存储技术能持续赋能社会进步、经济发展。

王俊杰秘书长致辞现场

长鑫科技集团股份有限公司产业协同创新负责人辛铁军在《协同创新引领集成电路变革》的报告中具体介绍了长鑫在生产制造技术及DRAM结构等方面的供应链协同创新案例，并指出国内产业将遇到的挑战和机会点；提出了集成电路产业制造协同创新是以应用为核心，驱动材料、设备、结构多维协同，着力基础研究，引领产业链整体发展的新模式。

辛铁军先生报告现场

超弦研究院赵超执行副院长做了《DRAM制造技术发展现状和展望》的报告，他指出DRAM是冯诺依曼架构中不可或缺的重要组成部分。作为市场份额最大的集成电路单一产品，其制造技术的发展已经走过了50多年的历程，传统的2D1T1C DRAM制造技术的演进正面临着一系列挑战，面向未来技术代的全新的解决方案不断涌现。报告总结了过去50年里DRAM器件、架构和制造工艺的发展历史；介绍了目前技术代DRAM制造技术发展面临的技术挑战，包括图形化、单元晶体管、单元电容和外围电路晶体管制造需要解决的关键问题；分析了未来技术发展可能的路径，并对VCT 4F2 DRAM、硅基3D 横向堆叠DRAM、 IGZO 3D DRAM等领域的研发进展做了简单的综述。

赵超院长报告现场

北京北方华创微电子装备有限公司战略发展体系王娜副总裁作了《以装备创新助推算力时代存储封装产业腾飞》的报告，她表示：人工智能技术的迅猛发展带来对高带宽内存的需求持续增长。随着AI落地，应用场景日益丰富，相关芯片需求将更加旺盛，为半导体市场带来前所未有的成长机遇，同时也推动着半导体技术更快速地演进。作为国内领先的半导体装备制造与服务商，北方华创通过不断自主研发与创新，持续推动国产装备在算力时代下的迭代应用，在存储及封装关键工艺制程中提供包括刻蚀、薄膜沉积、炉管及清洗等设备在内的全面解决方案。北方华创始终以客户需求为导向，持续创新，打造更高效的解决方案，推动行业的可持续发展。

王娜副总裁报告现场

杭州科百特过滤器材有限公司超纯水技术专家张庆胜先生的报告是《超纯水系统解决方案的协同创新突破》。报告从超纯水系统解决方案的产业链协同创新案例入手，讲述了半导体超纯水系统本地化面临的挑战、及科百特特有的超纯水系统的解决方案，为超纯水系统发展提供了新方向。

张庆胜先生报告现场

在之后的材料企业协同创新发布会中，来自江苏南大光电材料有限公司、睿晶半导体有限公司、中船（邯郸）派瑞特种气体股份有限公司、安徽亚格盛电子新材料有限公司、合肥安德科铭半导体科技有限公司、星奇(上海)半导体有限公司的专家代表分别分享了在国内集成电路产业中制造与材料上下游协同创新的各类优秀案例，为国内集成电路产业发展提供了新思路，他们的成功也鼓舞了在场的国内同行。