关键字：有机电子器件封装，PECVD，有机/无机交替结构薄膜，水氧阻挡性能

　　有机电子器件近些年发展迅猛，是二十一世纪电子产业的一大亮点之一，据专业机构NanoMarkets市场分析报告预测：未来有机电子产业产值会超过3000亿美元。有机电子器件具有轻、薄、柔等特色。有机电子器件封装要求低温、柔性、薄膜封装。交替结构薄膜被认为是最有效薄膜封装方式。制备薄膜有多种方法，但要满足低温，高致密以及柔性的要求，目前只有有机/无机这种交替薄膜结构能够实现。本课题组自行设计搭建一套ICP-PECVD系统，能实现有机/无机交替结构同源、同腔薄膜的低温生长(温度低于120度)。依靠此设备，我们对有机/无机交替结构薄膜的生长进行了深入研究，包括：沉积温度、射频功率、工艺气体流量及比例、沉积压强等参数对单层无机或有机薄膜特性的影响，综合研究了交替结构界面、交替结构层数等参数对水氧阻挡性能的影响。实验结果表明：无机薄膜是水氧分子的主要阻挡的层，有机薄膜主要是增加柔性和释放无机薄膜的应力。而且无机薄膜的缺陷和致密性对整个封装结构的水氧阻挡性能有很大影响，交替结构界面特性对水氧阻挡性能有重要影响。单周期有机/无机交替结构水氧阻挡性达10-2g/m2·day，四周期有机/无机交替结构水氧阻挡性达10-5g/m2·day。