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“中国材料大会2021”先进微电子与光电子材料分会成功举办

“中国材料大会2021”先进微电子与光电子材料分会成功举办

来源:
ICMtia
2021/07/20
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2021年7月8日至11日,“中国材料大会2021”在福建省厦门市国际会展中心隆重举行。这次大会是在建党100周年,全面开启“十四五”新征程关键时期召开的新材料领域的重大会议,是材料学科领域最前沿最高端的一次大会。大会设置有51个分会、3个分论坛。主题涵盖能源材料、环境材料、半导体材料、超导材料、高分子材料、高性能纤维及其复合材料、高温合金、超硬材料、生物医用材料、智能材料等材料前沿研究领域。全国1.2万新材料科技工作者和青年学者齐聚一堂,共同探讨学术发展前沿,碰撞智慧火花。

由集成电路材料产业技术创新联盟承办,中科院上海微系统与信息技术研究所和北京多维电子材料技术开发与促进中心共同支持的“先进微电子与光电子材料分会场”同期举行。广东省人民政府副省长王曦院士担任“先进微电子与光电子材料分会场”主席,香港中文大学汪正平院士作为分会场名誉主席,浙江大学杨德仁院士、ASML林庆煌博士和中科院微电子研究所赵超研究员共同担任分会场副主席。受王曦院士委托,赵超研究员代表王曦院士致分会场开幕词。本次“先进微电子与光电子材料分会场”共有主题演讲1个、邀请报告13个、口头报告17个,墙报19个,参会人数超过80人,报告内容涵盖了微电子与光电子材料领域的各个领域,包括: MRAM、FRAM、PCRAM和RRAM等新型存储材料;Ge、Si、SOI、GOI和化合物半导体等衬底材料;新型显示材料和其它应用于集成电路和光电器件制造用材料;先进封装材料;碳纳米管、石墨烯等碳基功能材料;CN3等新型二维材料;材料检测技术与方法;材料设计理论与计算模拟等。

浙江大学的俞滨教授做了题为“二维材料在后摩尔电子学的应用”的主题演讲。俞教授介绍了集成电路随着摩尔定律的发展历程,认为现在已经进入后摩尔时代,指出了硅基微电子材料的局限,提出二维材料在后摩尔电子学方面的一些潜在的应用,认为异质集成与一体化设计越来越重要。

中科院上海微系统与信息技术研究所的宋志棠研究员为大家做了题为“高速低功耗相变存储材料与应用”的邀请报告。宋志棠研究员认为随着5G、人工智能、物联网、智能汽车的飞速发展,数据量爆发式增长,需要有海量存储技术和新型架构来解决目前的“存储墙”问题,而相变存储器是最具潜力的下一代海量存储技术。宋志棠研究员介绍了团队近年来在新型相变材料开发、相变材料高速可逆相变机理、新型OTS选通管材料、相变存储器工艺集成和相变存储器产品开发方面的系统性研究工作。

清华大学的杨轶副教授为大家做了题为“基于铪系材料的非易失铁电存储器”的邀请报告,杨教授认为铪系铁电材料相比于传统铁电材料具有于兼容CMOS工艺、集成度高等优势,更加适用于新型的铁电存储器。基于铪系铁电材料的FeFET已经实现低至10 nm工艺节点,可实现Mbit级存储、3D堆叠等技术。基于铪系铁电材料的FeFET在新型存储、存算一体以及类脑计算等领域有着广阔的发展前景。

哈尔滨工业大学的胡平安教授为大家做了题为“二维压电材料及柔性器件”的邀请报告,胡平安教授认为二维压电材料具有优异的光电性能及压光电耦合性能,相比于传统压电材料具有柔韧性、兼容CMOS工艺、易于加工集成等优势,适用于新型的自驱动光电探测器和柔性电子皮肤器件。基于相临层极化同向的二维压电材料的发现及二维压电晶畴的有效调控,实现了高性能自驱动光电探测器及高灵敏电子皮肤器件。二维压电材料柔性器件在低功耗传感、机器人及人工智能等领域有着广阔的发展前景。

厦门大学的于大全教授在“先进封装中的新材料挑战”的邀请报告中,介绍了先进封装技术的发展历程。随着集成电路应用多元化,新兴领域对先进封装提出更高要求,先进封装目前越来越成为延续和拓展摩尔定律的重要手段。高密度TSV技术/Fan-Out扇出技术由于其灵活、高密度、适于系统集成,成为目前先进封装的核心技术。于教授认为我国集成电路封装材料和技术与国际先进水平有较大差距,技术发展滞后,需要进行产学研用协同创新,加快创新步伐,降低创新成本。“封装企业+装备企业+材料企业+科研机构”协同创新具有紧迫性,需要组织协同攻关,以应对后摩尔时代的全球技术挑战。

复旦大学的刘冉教授为大家做了题为“基于选区生长的有机功能材料微纳图案及器件阵列制备技术”的邀请报告,针对传统无机方法和现有有机方法存在的缺点,刘教授团队开发了真空与液相的原位监控研究设备,开展高度原创和辨识度的表界面调控研究,并采用新型选区生长方法制备了有机功能材料微纳图案及器件阵列。刘冉教授表示,柔性电子技术具有特有的弯曲性和可延展性,能形成智能包装、可穿戴健康护理产品等,将成为促成物联网普及和大规模应用的核心技术。

南方科技大学于洪宇教授在“宽禁带半导体器件的最新研究进展”的邀请报告中,展示了课题组近年来在宽禁带半导体器件方面的研究进展。介绍了GaN 工艺技术发展情况,GaN 产品技术发展情况,国际 SiC 产品技术发展情况和我国 SiC 产品技术发展情况。于教授认为以GaN和SiC为代表的国际第三代半导体产业,受政策、资本、技术、市场的“四轮驱动”已经实现了从研发到规模性量产的成功跨越,进入了产业化快速发展阶段。

武汉大学郭宇铮教授在“碳化硅的栅氧界面”的邀请报告中,通过计算阐明界面存在显著的低电子密度层SiOx,发现界面Si-Si结构为过渡氧化物层的主要缺陷结构,同时还可能存在少部分空位缺陷。在SiC热氧化中,界面碳缺陷的产生不可避免,通过计算发现界面SiC一侧的碳碳缺陷对n沟道MOSFET性能有重要影响,因此,碳缺陷的具体结构类型及对界面的影响需重点关注。郭教授认为在界面钝化过程中,同时引入N源与B源气体可进一步减少缺陷态。

中科院上海微系统所的蔡艳副研究员为大家做了题为“硅基光电子中的先进封装工艺和材料”的邀请报告,蔡博士回顾了目前在硅基光电子光电共封装领域的国内外进展,介绍了微系统所硅光集成课题组在2.5D/3D光电互连领域的最新进展,课题组实现了基于TSV的硅光有源转接板芯片和三维堆叠的高速锗探测器芯片。蔡博士认为2.5D/3D光电混合集成是解决未来硅光模块功耗、成本和性能的关键技术。

另外,来自厦门大学的陈孟瑜、有研资源环境技术研究院(北京)有限公司的石志霞、中国建筑材料科学研究总院有限公司的薄铁柱等17名老师和学生做了精彩的口头报告,分享了他们的研究成果。
  来自华东师范大学的黄雅茹获得了分会最佳墙报奖。本次会议报告非常精彩,会场气氛热烈,听众提问踊跃,参会代表获得了充分的交流,对提升我国微电子与光电子材料领域学术水平和技术创新能力起到了积极的促进作用。

中科院微电子所赵超研究员代表王曦院士致分会场开幕词

浙江大学俞滨教授做主题演讲

中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究员做邀请报告

清华大学杨轶副教授做邀请报告

哈尔滨工业大学的胡平安教授做邀请报告

厦门大学于大全教授做邀请报告

复旦大学刘冉教授做邀请报告

南方科技大学于洪宇教授做邀请报告

厦门大学张峰教授做邀请报告

中科院上海微系统与信息技术研究所欧欣研究员做邀请报告

武汉大学郭宇铮教授做邀请报告

中科院上海微系统与信息技术研究所蔡艳副研究员做邀请报告

华东师范大学的黄雅茹获得了分会最佳墙报奖

会场照片