近年来，相变存储技术在学术界与工业界研究人员的共同努力下，已经由理论模型变成了真实产品。经过了几十年的发展，PCRAM已成为下一代非易失性存储技术的最佳解决方案，有望代替DRAM+Flash的存储模式，在高速、海量存储方面具有巨大的潜力。本文介绍了相变存储器的发展历程与发展趋势，重点介绍中国科学院上海微系统所与中芯国际集成电路有限公司在相变存储器新材料开发和工艺集成研究成果。
近年来，相变存储技术在学术界与工业界研究人员的共同努力下，已经由理论模型变成了真实产品。经过了几十年的发展，PCRAM已成为下一代非易失性存储技术的最佳解决方案，有望代替DRAM+Flash的存储模式，在高速、海量存储方面具有巨大的潜力。本文介绍了相变存储器的发展历程与发展趋势，重点介绍中国科学院上海微系统所与中芯国际集成电路有限公司在相变存储器新材料开发和工艺集成研究成果。