2018年11月初，在国家博物馆举行的“伟大的变革——庆祝改革开放40周年大型展览”上，受国家重点研发计划“重点基础材料技术提升与产业化”重点专项支持、有研亿金“大规格稀有/稀贵金属靶材制造技术”项目研发的12英寸超高纯NiPt靶、12英寸超高纯Co靶精彩亮相，标志着我国在集成电路用关键基础材料领域通过自主研发取得了重大突破。

在半导体器件中，具有铁磁性的NiPt合金靶材和Co靶材是制备肖特基二极管和大规模集成电路接触层的理想材料，但是由于超高纯的NiPt合金和Co原材料难以制备，以及材料本身具有的磁性影响靶材的磁控溅射性能，这两种靶材制备的难度极大，国际上长期以来只有日本一家公司能够制备大尺寸高透磁率超高纯NiPt靶和Co靶。

在国家重点研发计划“重点基础材料技术提升与产业化”重点专项的支持下，有研亿金新材料有限公司成功攻克了大尺寸铁磁性靶材制备中的超高纯熔铸、成分及微观组织均匀控制、磁性能协同调控、异质金属高可靠大面积焊接、精密加工与表面处理等多个关键技术，研制出深纳米集成电路芯片制备用的高透磁率12英寸超高纯NiPt靶和12英寸超高纯Co靶，透磁率分别达到20%和70%以上，产品已通过多家国际知名半导体厂商的验证，打破了国外在该领域的垄断。该项成果的取得，对于提升我国电子信息产业关键基础材料的自主供应和集成电路产业的核心竞争力具有重要意义。

展览现场

12英寸Co靶

12英寸NiPt靶