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材料联盟理事长王曦院士一行到中环股份调研

材料联盟理事长王曦院士一行到中环股份调研

来源:
2014/01/24
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说明: http://www.icmtia.com/u/cms/www/201401/240931237gvi.jpg

考察现场

2014111日上午,国家02科技重大专项总体专家组副组长、集成电路材料产业技术创新战略联盟(材料联盟)理事长王曦院士一行到天津中环半导体股份有限公司(中环股份)实地调研。中环股份总经理沈浩平,副总经理、总工程师高树良,环欧公司总经理王彦君、副总经理张雪囡,中环领先总经理李翔等出席。02专项总体专家组专家、材料联盟石瑛秘书长,材料联盟副秘书长俞文杰等陪同考察。

王曦院士一行与中环股份主要领导就公司承担的02专项项目进展情况、公司运行状况、公司未来发展规划等议题进行了深入交流。环欧公司报告了公司所承担的02专项项目区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制项目)的研究内容、研发进度及取得的成果、行业现状与前景。项目包括6-8英寸区熔硅单晶及硅片的研制、IGBT器件设计与制造工艺研发、国产区熔炉设备研制三方面内容。目前,项目成果6英寸IGBT用区熔硅片已经实现产业化,8英寸区熔硅单晶片已经开始供样;8英寸区熔单晶炉样机已试制成功。其中,6英寸IGBT区熔硅抛光片已经向国内外IGBT生产厂家供货;中环股份自主研发的1200V沟槽型IGBT器件已经开始供样;项目所开发的区熔炉设备已经可以稳定生产8英寸IGBT用区熔硅单晶,且设备工艺控制水平与进口区熔炉相当,某些参数优于进口区熔炉。

中环股份总经理、项目负责人沈浩平介绍,IGBT(绝缘栅双极晶体管集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有耐高压、承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。但是受设计与加工水平的影响,利润丰厚的高端IGBT市场仍为国外厂商控制。我国半导体器件厂家生产的IGBT器件与国外相比还有差距,但IGBT的未来市场前景广阔,特别是清洁能源的广泛应用,更将推动IGBT产业的迅速发展。随着我国对国家电网、高速列车、太阳能发电、风电水电等大型基础设施的投资发展,将会进一步促进IGBT产业的技术进步。一旦突破目前技术壁垒,IGBT行业将进入一个突飞猛进的发展新时期。

王曦院士一行认真听取了报告,详细了解项目成果产业化情况,区熔硅单晶片生产、供货、下游厂家生产情况等,并在沈浩平总经理等的陪同下,实地考察了天津环欧、中环领先、中环股份的区熔单晶、晶片加工和器件生产线。王院士希望环欧公司加快8英寸抛光线的设备到位,完成IGBT器件的工艺开发与验证工作,并努力实现8英寸区熔硅单晶及抛光片的产业化,保质保量地完成02专项任务,把中环股份半导体材料、半导体器件产业链做强做大。

说明: http://www.icmtia.com/u/cms/www/201401/24093447jh85.jpg

考察现场