考察现场

2014年1月11日上午，国家02科技重大专项总体专家组副组长、集成电路材料产业技术创新战略联盟（“材料联盟”）理事长王曦院士一行到天津中环半导体股份有限公司（“中环股份”）实地调研。中环股份总经理沈浩平，副总经理、总工程师高树良，环欧公司总经理王彦君、副总经理张雪囡，中环领先总经理李翔等出席。02专项总体专家组专家、材料联盟石瑛秘书长，材料联盟副秘书长俞文杰等陪同考察。

王曦院士一行与中环股份主要领导就公司承担的02专项项目进展情况、公司运行状况、公司未来发展规划等议题进行了深入交流。环欧公司报告了公司所承担的02专项项目“区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制”（“项目”）的研究内容、研发进度及取得的成果、行业现状与前景。项目包括6－8英寸区熔硅单晶及硅片的研制、IGBT器件设计与制造工艺研发、国产区熔炉设备研制三方面内容。目前，项目成果6英寸IGBT用区熔硅片已经实现产业化，8英寸区熔硅单晶片已经开始供样；8英寸区熔单晶炉样机已试制成功。其中，6英寸IGBT区熔硅抛光片已经向国内外IGBT生产厂家供货；中环股份自主研发的1200V沟槽型IGBT器件已经开始供样；项目所开发的区熔炉设备已经可以稳定生产8英寸IGBT用区熔硅单晶，且设备工艺控制水平与进口区熔炉相当，某些参数优于进口区熔炉。

中环股份总经理、项目负责人沈浩平介绍，IGBT（绝缘栅双极晶体管）集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有耐高压、承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。但是受设计与加工水平的影响，利润丰厚的高端IGBT市场仍为国外厂商控制。我国半导体器件厂家生产的IGBT器件与国外相比还有差距，但IGBT的未来市场前景广阔，特别是清洁能源的广泛应用，更将推动IGBT产业的迅速发展。随着我国对国家电网、高速列车、太阳能发电、风电水电等大型基础设施的投资发展，将会进一步促进IGBT产业的技术进步。一旦突破目前技术壁垒，IGBT行业将进入一个突飞猛进的发展新时期。

王曦院士一行认真听取了报告，详细了解项目成果产业化情况，区熔硅单晶片生产、供货、下游厂家生产情况等，并在沈浩平总经理等的陪同下，实地考察了天津环欧、中环领先、中环股份的区熔单晶、晶片加工和器件生产线。王院士希望环欧公司加快8英寸抛光线的设备到位，完成IGBT器件的工艺开发与验证工作，并努力实现8英寸区熔硅单晶及抛光片的产业化，保质保量地完成02专项任务，把中环股份半导体材料、半导体器件产业链做强做大。

考察现场