G450-450mm晶圆状态报告
对于大多数人来说，无论我们开展FEOL还是封装工作，我们都密切关注450mm晶圆的动向：(1 )是否它真的会发生;( 2 )如果会发生,时间点是何时。然后，这些疑问尚未得到解答。近期，在欧洲举办的SEMICON 会上，分享了一些关于G450C的信息，但我们真不能指望这样备受度关注的项目出现，且被认为行不通。
G450C是一个运行在Albany纳米技术中心的联盟，成员包括英特尔，台积电，三星和IBM的全球晶圆代工厂。IBM已经将半导体制造业务出售给GlobalFoundries。所以该项目对IBM而言，可以说是一个发展的窗口，不是而非纯商业化项目。
该联盟的目标是“到2016年简称14 / 10nm完整工艺线”。如下为相关工具安装状态报告：
工艺要求报告如下：
l 工艺能力是14nm的98%
l 产能： 80 %的加工工具可实现与300mm同等或更好的效果( WPH )
l 性能：制程工具达到或接近300mm的制程目标
l 供应商可以在客户下单后的18-24个月内，交付HVM工具
l 带来至少30%的成本节约
松下-等离子切割
据松下报道，基于等离子体的切割具有无损伤和切割道较窄带来的更高芯片切割率的优势。松下报道采用APX300 HVM工具，刻蚀速度达到20m/分钟。
另外，硅的断裂强度大大提高。
正面与背面处理流程如下所示。
Fraunhoffer EMFT - 超薄器件的柔性封装
Fraunhoffer EMFT的Christof Landesberger讨论研发一种用于在柔性器件衬底封装中实现超薄IC器件的嵌入和互连灵活的芯片箔包超薄IC设备互连的工艺。
应用目标包括：
l 智能手机-降低封装厚度
l 医疗保健和可穿戴设备
l 大面积电子元件，如可弯曲显示器和光伏组件
l 曲面上的传感器，如应用或集成到机器、建筑、机器人和住房;
l 物联网
关键问题是：是否在嵌入在薄膜后，超薄芯片的机械强度增强?
他们报道了在嵌入之后，超薄芯片的断裂力出现显著的增加，如下面weibull图所示。
其工艺流程如下图所示:
在他们的微控制演示器中，25um厚的芯片嵌入到柔性基底的腔内。该芯片被10um的薄介电质膜覆盖并且图案化和互连。最终的封装表现出在弯曲后无开裂和分层。
他们初步的结论是刚性封装的将被用于50-150um厚的芯片。柔性封装被用于超薄的，10-30um芯片。
Osram-LED封装中芯片互连综述
标准LED封装任然以引线构架为主。他们是：
l 容易通过标准的SMT回流焊组装
l 表现出最低的制造成本
l 整体焊盘具有出色的散热
l 单WB互连与久经考验的可靠性
大量的封装配置都可获得并且可使用
芯片粘接方法包括导电环氧树脂，不导电的有机硅，烧结材料和晶金属焊料。这些都提供了不同的热性能和成本和对不同封装具有更好的兼容。
除其他事项外，他们得出结论：
当比较基银丙烯酸酯填充芯片附着和其环氧材料，Osram认为，丙烯酸酯显示焊后热处理不太稳定互连特性。
腐蚀性气体例如水分， NO2和SO2扩散穿过透明的硅密封剂。对铜的攻击更加严重。混合硅氧烷扩散壁阻挡层应当被用于铜镀金表面。