Entegris推出适用于半导体制程的新型后化学机械研磨(post-CMP)清洁溶液。新型PlanarClean AG系列产品是专为10nm以下的制程所设计，如今加入Entegris领先业界的post-CMP清洁溶液之列。

硅晶圆制造的CMP程序包含机械抛光步骤，过程中会使用化学研磨液配方，去除整合元件表面上的多余导电性或介电物质，以便达到平滑效果而可推叠其他积体电路层。post-CMP清洁步骤能够去除奈米颗粒，将晶圆污染的可能性降到最低，同时维持各层既有物质的完整性。

在高阶制程的清洁步骤中，外露薄膜及材料的数量和类型改变，更凸显出特调清洁溶液的必要性。此外，研磨液颗粒的改变使得许多传统的post-CMP清洁溶液在用于先进制程时，显得效率低弱或毫无效果，尤以前端制程(FEOL)最为明显。这些难题促使半导体制造商开始选择调配清洁溶液，舍弃一般的商品清洁溶液。

PlanarClean AG调配溶液符合这些需求，在铜、钴和钨等高阶制程中展现一步到位的优异清洁效果，还能保护底层的薄膜和物质。专利配方有助于提升可靠度和产量、达到零腐蚀及零污染的程度、增加等待时间，最后为客户提高效能。另外，PlanarClean AG能够减少清洁步骤所需的化学品用量，进而发挥持有成本的优势；亦符合最新的晶圆厂化学品EHS安全要求。产品已在多家领先的晶圆大厂通过评估，目前也已向所有客户公开贩售。