中国上海和美国加利福尼亚圣何塞2017年3月15日电/美通社“作为领先的半导体代工企业，中芯国际为全球的电子器件制造商提供先进的半导体制造工艺。我们很高兴能够将DBI技术加入到我们的技术组合中。”中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示，“这项技术是3D堆叠图像传感器制造的关键步骤，通过与Invensas的紧密合作，我们将会为客户加快新一代图像产品的开发和商业化。”

DBI技术是一项低温混合晶圆键合解决方案，能够在无压力下键合，现异质晶圆特殊细间距3D电子互联。 DBI 3D互联可以消除对TSV缩小尺寸和降低成本的需求，同时为下一代图像传感器提供像素级互联技术路线。

“很高兴能够与中芯国际，全球最大最有声望的半导体代工企业之一签署此项授权协议，” Invensas 总裁Craig Mitchell表示，“中芯国际认可DBI技术对全球客户的巨大意义，我们也期望与中芯国际更加紧密的合作，将此平台融入到他们世界级的设计及制造环境中。”

所以大陆选择3D NAND重新出发，3D的制程技术还有机会应用到其它产品，譬如3D MRAM。至于研发的规模经济，由其所投资相应的生产规模来看，如果有盈余的话，是有机会支撑持续的自主研发的。

所以大陆选择3D NAND重新出发，3D的制程技术还有机会应用到其它产品，譬如3D MRAM。至于研发的规模经济，由其所投资相应的生产规模来看，如果有盈余的话，是有机会支撑持续的自主研发的。