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中芯国际与Invensas签署DBI技术转让与授权协议

中芯国际与Invensas签署DBI技术转让与授权协议

来源:
2017/03/16
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中国上海和美国加利福尼亚圣何塞2017315日电/美通社作为领先的半导体代工企业,中芯国际为全球的电子器件制造商提供先进的半导体制造工艺。我们很高兴能够将DBI技术加入到我们的技术组合中。中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示,这项技术是3D堆叠图像传感器制造的关键步骤,通过与Invensas的紧密合作,我们将会为客户加快新一代图像产品的开发和商业化。

DBI技术是一项低温混合晶圆键合解决方案,能够在无压力下键合,现异质晶圆特殊细间距3D电子互联。 DBI 3D互联可以消除对TSV缩小尺寸和降低成本的需求,同时为下一代图像传感器提供像素级互联技术路线。

很高兴能够与中芯国际,全球最大最有声望的半导体代工企业之一签署此项授权协议,” Invensas 总裁Craig Mitchell表示,中芯国际认可DBI技术对全球客户的巨大意义,我们也期望与中芯国际更加紧密的合作,将此平台融入到他们世界级的设计及制造环境中。

所以大陆选择3D NAND重新出发,3D的制程技术还有机会应用到其它产品,譬如3D MRAM。至于研发的规模经济,由其所投资相应的生产规模来看,如果有盈余的话,是有机会支撑持续的自主研发的。

所以大陆选择3D NAND重新出发,3D的制程技术还有机会应用到其它产品,譬如3D MRAM。至于研发的规模经济,由其所投资相应的生产规模来看,如果有盈余的话,是有机会支撑持续的自主研发的。

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