彭洪修

彭洪修现任安集微电子科技（上海）股份有限公司副总经理，负责功能性湿电子化学品、电镀液及添加剂研发及产品线管理。华东理工大学材料学专业硕士，香港大学/复旦大学工商管理学（国际课程）硕士，上海市工程系列集成电路专业高级工程师，入选“张江人才”、“上海市青年科技启明星”。先后在中芯国际、安集微电子任职，进行产品开发及产业化，20年集成电路研发经验，拥有60多篇专利。

演讲题目：

集成电路湿法清洗技术

Semiconductor Cleaning and Surface PreparationTechnology

演讲摘要：

湿法清洗是集成电路制造关键工艺，随着先进工艺节点的尺寸微缩，湿法清洗遇到更多挑战，包括小尺寸缺陷控制、HAR（高深宽比）结构清洗及干燥、新材料兼容性、安全环保及超高纯度质量要求等。结合湿法清洗技术要求，单片清洗机逐步取代槽式批处理机以降低缺陷，超临界二氧化碳逐步导入使用以避免HAR结构倒塌。从安全环保、性能提升及设备/材料优势结合角度出发，刻蚀后清洗液逐步从溶剂基、过渡到半水性、水性。结合HAR结构清洗需求，进行基材表面润湿、表面能研究，使其与刻蚀后基材表面完全润湿，达到快速清洗效果；针对不同界面金属（如铜、钴）进行电化学研究控制流电腐蚀；针对清洗后基材表面进行有机残留研究，确保基材表面洁净，降低TDDB 失效风险。从铜抛光后清洗液分析，为控制蚀刻速率、可靠性提升及安全环保，先进节点逐步从酸性体系过渡到碱性体系，从含TMAH过渡到无TMAH体系。并分析碱性铜抛光后清洗液清洗机理，静电排斥、底切（undercut）及螯合机理相结合达到低缺陷清洗效果；添加剂与缓蚀剂相互竞争控制清洗后铜、钴表面厚度以及清洗后不同Q-time金属氧化物厚度变化，提高工艺窗口。针对超高纯质量要求，加强原材料基础研究，确保先进工艺节点刻蚀后清洗液金属离子杂质控制在1ppb甚至以下，达到ITRS路线图要求。安集微电子在过去18年中，专注于一站式化学机械抛光液及领先的功能性湿电子化学品，致力成为客户身边的国际化合作伙伴。

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