李冰

2007年毕业于清华大学材料科学与工程专业，同年加入北京科华，从事光刻胶及配套试剂的研究与开发。作为主要负责人参与公司承担的国家02重大专项《248nm光刻胶研发与产业化》，所研发的248nm光刻胶DK系列成为商业化产品，批量用于8”及12”芯片制造工艺；除248nm光刻胶之外，他作为研发团队负责人领导开发了0.3um I线光刻胶、厚膜光刻胶及Lift Off用负性光刻胶等产品。此外，作为技术负责人承担了北京市科委《先进光刻用高分子自组装材料技术研究》，开发出具有10nm的相分离尺寸的嵌段共聚物并进行了自组装工艺研究；作为参与单位的负责人参与了02专项《极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究》的部分工作。

演讲题目：

先进光刻胶发展趋势与本地多元化供应规划

The Trends of Photoresists Development and Local Multi-Supply Plan

演讲摘要：

介绍集成电路先进制程中的光刻技术及光刻材料的发展趋势，以光刻材料的机理为主线分析其发展历程，同时从产业链的角度分析原材料国产化的现状及挑战。最后，报告从彤程集团自身光刻材料的发展历程及规划出发，探讨光刻胶本地多元化供应策略。

北京科华电子材料有限公司LOGO: