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北京科华微电子材料有限公司
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北京科华微电子材料有限公司

Kempur Microelectronics Inc.
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产品分类 二级分类 产品名称 图片介绍 生产厂家  产品特征
光刻胶及聚酰亚胺 紫外宽谱光刻胶 BN301系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司  BN301系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的负性光刻胶,主要用于半导体分立器件及其它微型器件的制作。 本产品粘度可以在20-60mPa.s范围内调整, 覆盖光刻胶膜厚范围2.0-3.0um, 在多种基片上均有良好的粘附性,抗湿法腐蚀性能良好。
光刻胶及聚酰亚胺 紫外宽谱光刻胶  BN303系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司  BN303系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的负性光刻胶,主要用于中小规模集成电路、分立器件及其它微型器件的制作。 本产品粘度可以在29-100mPa.s范围内调整, 覆盖光刻胶膜厚范围0.85-2.1um. 实用分辨率可达5μm, 在多种基片上均有良好的粘附性,抗湿法腐蚀性能良好。
光刻胶及聚酰亚胺 紫外宽谱光刻胶  BN308系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司   BN308系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的负性光刻胶,主要用于分立器件及其它微型器件的制作。本产品粘度可以在140-500mPa.s范围内调整, 覆盖光刻胶膜厚范围2.2-6um. 实用分辨率可达8μm, 在多种基片上均有良好的粘附性,抗湿法腐蚀性能优异。
光刻胶及聚酰亚胺 紫外宽谱光刻胶  BN310系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司  BN310系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的负性光刻胶,主要用于中小规模集成电路、分立器件及其它微型器件的制作。本产品粘度可以在27-39mPa.s范围内调整, 覆盖光刻胶膜厚范围0.85-1um. 实用分辨率可达2μm, 在多种基片上均有良好的粘附性,含防光晕染料,可在高反射基片上使用。
光刻胶及聚酰亚胺 G线光刻胶 KMP E3100系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司  KMP E3100系列光刻胶是专为Lift Off工艺开发的紫外负性光刻胶,其采用酚醛树脂体系,与正胶工艺相容(可用正胶显影液进行显影)。E3100系列具有多个型号,膜厚范围为1.0-4.5um,可以满足不同工艺对倒梯角的需求,此外具有分辨率高、工艺窗口大及易去胶等优点,广泛用于IC/LED芯片制造过程中的Lift Off工艺。
光刻胶及聚酰亚胺 G线光刻胶 KMP E3200系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司  KMP E3200系列光刻胶是专为Lift Off工艺开发的紫外负性光刻胶,相比E3100,其膜厚更厚,覆盖的范围为6.0-12.0um。其具有可调整的倒梯角度、分辨率高、工艺窗口大及易去胶等优点,广泛用于LED芯片制造过程中的Lift Off工艺,特别是LED高功率器件以及倒装工艺芯片制造过程。
光刻胶及聚酰亚胺 G线光刻胶  KMP EP3100系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司   KMP EP3100系列光刻胶是一款G/I线正性光刻胶,其特点是感光速度快、分辨率高,主要用于LED芯片制造领域,可以有效的提高芯片制造企业的产率。
光刻胶及聚酰亚胺 G线光刻胶   KMP EP3200系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司   KMP EP3200系列光刻胶是一款G/I线正性光刻胶,主要用于LED芯片制造,其感光速度适中、分辨率高、工艺窗口大,此外还具有优异的粘附性,在不使用HMDS的情况下能保持显影时不掉胶、湿法刻蚀时无过刻。
光刻胶及聚酰亚胺 G线光刻胶  KMP BP212系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司      KMP BP212系列光刻胶是用于分立器件的宽谱正性光刻胶,适用于宽谱、G线及I线曝光,为酚醛树脂/重氮萘醌体系,本系列产品有不同的粘度,可以覆盖膜厚从0.75um到2.5um,具有分辨率高、感光速度快及工艺窗口大等优点。
光刻胶及聚酰亚胺 G线光刻胶  KMP BP218系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司      KMP BP218系列光刻胶是用于分立器件有正性光刻胶,适用于宽谱、G线及I线曝光,为酚醛树脂/重氮奈醌体系,本系列产品有不同的粘度,可以膜厚从1.0um到2.0um,具有分辨率高、感光速度快及工艺窗口大等优点。
光刻胶及聚酰亚胺 I线光刻胶 KMP C6111系列   北京科华微电子材料有限公司  KMP C6111系列光刻胶是正性厚膜I线光刻胶,主要应用于IC制程中光刻胶膜厚5um时的PAD金属钝化层和DNW的深肼离子注入层。该系列光刻胶工艺窗口大,抗蚀刻能力,抗离子注入能力和可去除性能都符合先进集成电路的需求,已广泛用于先进集成电路制造业企业。
光刻胶及聚酰亚胺 I线光刻胶 KMP C7500系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司  KMP C7500系列光刻胶是高分辨I线光刻胶,其采用了独特的树脂结构及具有高分辨性能的感光剂,在0.75um膜厚下可以实现0.35um的分辨率。该系列光刻胶具有不同的粘度,其膜厚范围为0.5-2.0um,同时具有感光速度快、分辨率高及工艺窗口大等优点,适用于集成电路制造工艺中对分辨率要求较高的i线层,已经广泛商用于国内先进集成电路制造业企业。
光刻胶及聚酰亚胺 I线光刻胶  KMP C7300系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司   KMP C7300系列光刻胶是高分辨I线光刻胶,在1.0um膜厚下可以实现0.5um的分辨率,该系列光刻胶具有不同粘度的产品,其膜厚范围为0.75-2.5um,同时具有感光速度快、分辨率高及工艺窗口大等优点,广泛用于先进集成电路制造业企业。
光刻胶及聚酰亚胺 I线光刻胶  KMP C8300系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司   KMP C8300系列光刻胶是具有高耐热性及高抗刻蚀性的I线光刻胶,其采用了独特的树脂结构及配方体系,在140摄氏度烘烤时仍能保持形貌不变。该系列光刻胶具有不同的粘度,其膜厚范围为1.0-4.0um,分辨率达0.6um,同时具有感光速度快、分辨率高及工艺窗口大等优点,适用于集成电路制造工艺中的implant, metal layers. 已广泛商用于国内主流集成电路制造企业。
光刻胶及聚酰亚胺 I线光刻胶  KMP C5300系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司
 KMP C5300系列光刻胶是G/I线通用正性光刻胶,其在1.2um膜厚下可实现0.6um的分辨率,该系列光刻胶感光速度快(1.25um时,Eop达65mJ/cm2),该系列光刻胶具有不同粘度的产品,其膜厚范围为0.75-2.5um,同时具有感光速度快、分辨率高及工艺窗口大等优点,适用于集成电路制造工艺中对分辨率要求不高的i线层,已经广泛商用于国内先进集成电路制造业企业。
光刻胶及聚酰亚胺 KrF光刻胶 KMP DK1080   北京科华微电子材料有限公司  
 KMP DK1080是国内首款商业化的248nmDUV(KrF)光刻胶,由本公司独立开发完成,并实现向国内先进集成电路制造企业的批量供货。
     KMP DK1080适用于集成电路制造中有Implant Layer工艺,在不使用底部抗反射涂层(BARC)时仍能消除由干涉引起的驻波效应,得到陡直的形貌。其膜厚范围为6000-9000A,分辨率达0.25um,同时具有快速的感光速度及优异的工艺窗口。
光刻胶及聚酰亚胺 紫外宽谱光刻胶 KMP CP4800系列

 

 

北京科华微电子材料有限公司  KMP CP4800系列光刻胶是专为先进封装制程设计的正性厚膜光刻胶,膜厚可以覆盖10-40um的范围,具有高分辨率,高耐热性,在KOH与TMAH显影液均可适用的特点,已在大陆和台湾封装企业商业量产。

 

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