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林庆煌

IBM Thomas J.Watson Research Center研究员
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林庆煌博士是IBM Thomas J.Watson Research Center研究员。林博士在IBM公司有从事半导体产业超过15年的工作经验,参与或主持过IBM公司的0.25μm-7nmCMOS技术、512Mbit&1GBitDRAM等多项技术开发和其他探索性研究等众项目,包括半导体研究、开发、工程、管理和技术策略等。林博士有超过100项美国专利,他也是23IBM杰出发明成就奖的获得者,是多个国际学术会议的组织者或演讲者。他发表专业论文60多篇,并编辑出6专著和9本会议论文集,发表了超过45篇的主报告或邀请报告。林博士是Micro/NanolithographyMEMS,MOEMS杂志的副主编,也是Materials Research focus issue on self-assembly and directed assembly of advanced materials杂志的客座主编。林博士因制造业中的发明、开发和实施248纳米双层阻挡层技术课题,于2002年获得IBM研究贡献奖。这项IBM的双层阻挡层技术也使得从事半导体技术创新近40年的IBM公司赢得国家技术勋章(由美国总统授予美国顶尖创新者的最高荣誉)。2014林博士被任命为美国化学学会会员。

林博士早年毕业于清华大学获硕士学位,在位于美国密歇根州安阿伯市的密歇根大学获得博士学位,并在奥斯丁德克萨斯大学从事博士后研究。

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