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王 曦 博 士

中国科学院院士
 02专项总体专家组副组长
 中科院上海微系统与信息技术研究所所长
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男,中国科学院院士,博士生导师,中科院上海微系统与信息技术研究所所长,SOI方向学术带头人。1987年毕业于清华大学,1993年在中科院上海冶金研究所获博士学位。1994年赴澳大利亚联邦科学与工业研究院工作,1996年作为“洪堡”学者在德国罗森多夫研究中心工作两年。1998年回国在中国科学院上海微系统与信息技术研究所晋升研究员、博士生导师,历任实验室主任、所长助理、副所长、党委副书记、党委书记、所长。长期致力于载能粒子束与固体相互作用物理现象的研究,揭示了载能离子作用下薄膜表面微结构、相组分、电子学等特性,实现了载能离子束薄膜生长的可控制性,并将研究成果应用于先进电子材料绝缘体上的硅(Silicon-on-insulator, SOI)的开发。带领团队深入研究SOI离子注入合成过程中的物理和化学过程,发展出具有自主知识产权SOI规模化生产关键技术,创办了上海新傲科技股份有限公司-我国新一代硅基集成电路材料SOI生产基地,成为全球少数几家可提供商用SOI晶圆的企业之一。除SOI材料之外,还从事下一代硅基高迁移率材料应变硅,硅与化合物半导体融合技术,硅基GaN微电子和光电子应用,以及离子注入、材料键合等集成电路工艺开发。在国内外主要学术刊物和会议上发表论文300余篇,申请国家发明专利45件,其中授权22件。作为第一完成人分别获2005年上海市科技进步一等奖、2006年度国家科技进步一等奖、2007年度中国科学院杰出科技成就奖,以及2008年度何梁何利基金科学与技术进步奖。培养研究生近30名,其中1人获中科院院长奖学金特别奖。目前兼任国家中长期科技规划《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》重大专项总体专家组副组长。被聘为国际波姆(Bohmische)物理学会科学成员、离子束材料表面改性序列国际会议国际委员会委员。

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