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技术攻关奖

分类:
2020
作者:
来源:
发布时间:
2021/04/19 16:00
浏览量

获奖项目

集成电路用超高纯氟化氢的制备工艺

获奖单位

中船重工(邯郸)派瑞特种气体有限公司

奖项介绍

中船重工(邯郸)派瑞特种气体有限公司经过技术优化和难题攻关,开发出高纯特种气体氟化氢,氟化氢,产品中水分、金属等关键杂质指标控制达到国际先进水平,满足国内先进制程的应用要求。派瑞气体勇于担当,志在超越,将通过持续的技术创新,不断的升级服务,为中国集成电路产业的自主化贡献自己的力量。

 

获奖项目

乙硅烷关键技术研发与产业化

获奖单位

安徽亚格盛电子新材料有限公司

奖项介绍

安徽亚格盛电子新材料有限公司专注于先进制程薄膜沉积材料的自主开发。经过多年技术攻关,终于将20nm以下先进制程的关键硅源材料—乙硅烷成功产业化并达到国际先进水平,填补了国内空白,产品销售到国际一流半导体企业。

 

获奖项目

12英寸晶圆铜制程CMP 抛光垫产业化技术

获奖单位

湖北鼎汇微电子材料有限公司

奖项介绍

湖北鼎汇微电子材料有限公司从2012年开始CMP制程材料的研究开发,已开发出具有自主知识产权的集成电路用12英寸晶圆铜制程CMP 抛光垫技术与产品,产品质量达到国外同类产品先进水平,并投资5亿多元建成了年产20万片抛光垫产业化装置,已实现多家Fab厂的规模销售,为自主开发CMP抛光垫技术,并实现产业发展奠定基础。

 

获奖项目

集成电路用6N级磷烷砷烷特气产业化技术

获奖单位

江苏南大光电材料股份有限公司

奖项介绍

江苏南大光电材料股份有限公司以“敢为人先,敢争一流,敢攀高峰、敢创大业”的拼搏精神,持续专注于于高纯电子材料领域技术攻关与产品开发,攻克了超高纯纯砷烷和磷烷的制备技术和安全源自主设计与制造技术,填补了我国在该项领域的产品空白,有力保障了我国集成电路制造对离子注入安全源的需求。

 

获奖项目

集成电路用12英寸超高纯铜靶材成套制备技术

获奖单位

有研亿金新材料有限公司

奖项介绍

有研亿金新材料有限公司深耕集成电路高纯金属靶材领域十余年,通过科研攻关与自主创新,成功攻克了12英寸超高纯铜靶材成套制备技术,并建立了工业化生产线,产品质量和技术工艺达到国际先进水平,为我国集成电路关键靶材的自主可控发展做出了突出贡献。

 

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