由集成电路材料产业技术创新战略联盟（材料联盟）承办的中国材料大会2014“微电子与光电子材料分会”于2014年7月4－7日在四川大学顺利召开。材料联盟专家咨询委员会、理事及会员单位代表以及相关领域的专家、学者和企业界人士约100人参加了会议。

会议共安排14个特邀报告、25个大会演讲和40篇论文海报。热点议题包括16纳米FinFETs中的新材料、硅基Ⅲ－Ⅴ族高迁移率材料、硅基锗材料和MOSFET器件、高速低功耗TiSbTe相变存储材料、石墨烯复合陶瓷材料、ALD前驱体化学、金属氧化物阻变特性、半浮栅器件、EUV光刻胶、飞秒激光技术、有机光电材料等。会议现场各种创新观点集聚齐鸣，学术讨论氛围浓厚。赵超研究员指出，模拟和实验工作表明GeSi源漏对硅Fin沟道的晶格应变有重大影响，有望对p－FinFETs的空穴迁移率有大的提升，从而提高开态电流；潘教青研究员报告在硅基III－V族高迁移率材料生长研究中，ART方法已经得到高质量的GaAs和InP单晶，但CMOS的集成方案是难点；王敬教授认为，利用减压化学气相沉积（RPCVD）技术可以在硅基体上获得高质量的Ge薄膜材料，Ge沟道器件的迁移率将比Si沟道提升一倍以上，有望为下一代集成电路所应用；康晋锋教授报告后20nm技术代，在各种NVM替代技术中，STT－MRAM和RRAM被推荐为重点候选技术，RRAM潜力最大；张卫教授介绍了一种用于低压超快存储器和传感操作的半浮栅器件，指出该器件是一种新型的、基础的、核心的电子器件，潜在应用包括DRAM核心存储单元、微处理器片内缓存、CIS中PN结感光、特殊电路施密特触发器、OLED驱动电路等，目前复旦正在与中芯国际合作全力推进该器件的产业化，前景值得期待。会议其它议题还有直拉硅片中的氧沉淀对载流子迁移率的影响、重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错（OSF）、钨金属栅化学机械平坦化、高纯三氯化硼分析技术研究等。

材料联盟为组织这次学术会议专门成立了由联盟理事长、专家咨询委员会主任王曦院士为主席、宋志棠、杨德仁、赵超、张卫、杨国强、康晋峰、王敬、史方、潘教青、上官东恺、石瑛、成岩、俞文杰等共同参与的的组织委员会。各位委员充分发挥各自在相关专业领域的技术特长和影响力为本次会议邀请了权威的特邀报告人并使组委会征集到了高水平的论文。与会代表普遍认为：材料联盟举办的微电子与光电子材料分会是将相关领域专家、学者及企业界人士组织在一起的跨界学术会议，各个研究团队将最新研究进展拿到会上与大家交流研讨，会议学术讨论气氛热烈，达到了促进集成电路工艺先导研究与材料技术开发、以及材料研究相互交流的目的，为产学研合作提升综合创新能力搭建了交流平台，希望今后还能继续组织这样的学术活动。