2015_C-MRS 大会报告_集成电路材料产业技术创新联盟官网

Ag-Cu-Sn三元系富Ag-Cu区域450℃等温截面图的测定

Ag-Cu-Sn三元系富Ag-Cu区域450℃等温截面图的测定

发布时间：

2015-07-23 11:59

摘要：

关键字：Ag-Cu-Sn三元系扩散偶相图电子探针　　Ag-Cu-Sn中温钎料因其耐温、抗蠕变和耐腐蚀性能优异，广泛的运用于电子封装领域，但由于其本质脆性导致制备困难，成品率较低，而建立Ag-Cu-Sn相图对Ag-Cu-Sn钎料的设计与制备具有重要的指导作用。　　本文利用三元扩散偶局域平衡原理，通过扫描电镜及电子探针微区成分分析方法测定Ag-Cu-Sn三元扩散偶在450℃下的相平衡关系及其成分，建立

查看详情

ZnO/Si-NPA的场发射性能研究

发布时间：

2015-07-23 11:58

摘要：

关键字：硅纳米孔柱阵列(Si-NPA);硫化锌(ZnS);场发射　　为了研究衬底形貌对冷阴极场发射性能的影响，分别以具有柱状和火山口状形貌特征的硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底，采用化学水浴(CBD)法制备了硫化锌(ZnS)/Si-NPA，并通过对比两样品的发射性能，研究了Si-NPA衬底形貌对其场发射性能的影响。结果表明，相对于ZnO纳米棒簇状阵列，ZnO纳米针簇状阵列具有更低的开启场强，更

查看详情

超饱和硫掺杂硅材料制备及性能研究

发布时间：

2015-07-23 11:51

摘要：

关键字：超饱和掺杂;正电子湮没技术;脉冲激光;红外增强吸收　　本文分别利用脉冲激光气相掺杂和离子注入的方法制备了超饱和硫掺杂硅材料，采用传统热炉和准分子激光对掺杂样品进行了退火处理，研究了脉冲激光通量、波长、扫描速率、离子注入条件及退火工艺对样品表面形貌、光吸收率、载流子浓度及迁移率的影响。利用扫描电镜、拉曼光谱及正电子湮没等手段对样品表面形貌、晶体结构、缺陷等微结构信息进行了表征。实验结果表明：

查看详情

六角结构MnNiGa薄膜的结构、磁性和输运性质研究

发布时间：

2015-07-23 01:22

摘要：

关键字：六角结构，MnNiGa，磁控溅射，垂直磁各向异性，自旋电子学　　六角结构MM'X材料是一类潜在的新型磁相变功能材料，近年来受到了很大的关注。本文通过直流磁控溅射法和第一性原理计算，系统研究了不同溅射温度下三元合金MnNiGa薄膜的晶体结构、磁性能和输运性质。X射线衍射分析表明MnNiGa薄膜为具有Ni2In型的六角结构(空间群为P63/mmc)。扫描电镜图谱揭示了溅射温度对薄膜表面形貌的影

查看详情

高质量硅基砷化镓材料的获得

发布时间：

2015-07-23 01:21

摘要：

关键字：硅基砷化镓、锗表面、MOCVD、缺陷密度、粗糙度　　硅器件和III-V族器件是半导体器件的两大阵营，为了实现两种材料与器件体系的互补以及获得更优异的综合性能，硅基III-V族器件成为一个产业界和科研领域的重点。　　本论文通过Ge过渡层、低温GaAs缓冲层以及GaAs表面处理实现了高质量、平整表面的Si基GaAs层。　　利用LEED研究了不同条件下Si基Ge表面的原子排列，验证了斜切角的Ge

查看详情

关于联盟

标准化工作

产品平台

产业链合作

相关政策

行业报告

加入联盟

联盟大会

1

资讯列表

Ag-Cu-Sn三元系富Ag-Cu区域450℃等温截面图的测定

ZnO/Si-NPA的场发射性能研究

超饱和硫掺杂硅材料制备及性能研究

六角结构MnNiGa薄膜的结构、磁性和输运性质研究

高质量硅基砷化镓材料的获得