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气体传感用量子阱激光器研究
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发布时间:
2017-11-01 16:37
摘要:
在二十世纪八十年代初期,基于激光二极管吸收光谱技术(TDLAS)测量气体浓度的相关文献已经出现。由于TDLAS技术较传统光谱检测技术具有显著的技术优势而得到了迅速推广。我国企事业科研单位在2000年以后开展了多种无机物非对称气体分子的二极管激光光谱检测研究。近年来,国内科研单位通过技术合作与转移,基于国产自主知识产权的TDLAS在线气体监测系统已经在矿井作业、煤制气监测、天然气、油气监测等方面取得
面向后摩尔时代的XOI异质集成材料研究
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摘要:
未来微电子、光电子器件及智能微系统将继续沿着小型化、集成化和智能化的方向发展,所需的微系统芯片功能更加复杂化、多样化和兼容一体化。这种发展趋势对异质集成技术提出了巨大的需求,异质集成也将为后摩尔时代微电子技术的发展开辟一条全新的道路,在保持原有器件和工艺尺寸的基础,发展异质材料与多种功能器件的一体化集成技术,从而实现单一芯片的功能多样化,特别是实现光电、微能源、模拟、射频、无源器件、MEMS器件的
锑化物窄带隙半导体红外光电材料与器件
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摘要:
锑化物半导体主要指包括GaSb、AlSb、InAs等晶格常数在0.61nm附近的化合物及其各种多元合金。该体系中的InAs/GaSb超晶格是II型能带结构,能有效抑止俄歇复合,其光电探测响应波段覆盖2~30μm的超宽红外区域;InGaAsSb量子阱是I型能带,在发展2-4微米波段大功率和窄线宽激光器方面前景重大;其调制掺杂异质结具有室温超高迁移率特性,非常适合制造低功耗高速微电子学器件。近年来,随
半导体光电子材料--从3D到0D,从经典应用到量子信息
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摘要:
本工作面向新一代光电信息系统,开发新型半导体光电功能材料的制备技术,满足半导体光电器件高速化、集成化、量子化的需求。材料制备采用了分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、常压化学气相沉积(CVD)等精密技术;器件制备采用了标准半导体工艺、微纳加工技术等。用MBE制备了高密度1.3um-InAs/GaAs量子点材料;以此材料制成的1.3um激光器,单层增益达到7cm-1,直接调制
相变存储器芯片制造
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发布时间:
2017-11-01 16:34
摘要:
近年来,相变存储技术在学术界与工业界研究人员的共同努力下,已经由理论模型变成了真实产品。经过了几十年的发展,PCRAM已成为下一代非易失性存储技术的最佳解决方案,有望代替DRAM+Flash的存储模式,在高速、海量存储方面具有巨大的潜力。本文介绍了相变存储器的发展历程与发展趋势,重点介绍中国科学院上海微系统所与中芯国际集成电路有限公司在相变存储器新材料开发和工艺集成研究成果。
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