成都时代立夫科技有限公司成立于2012年12月，注册资本3500万元，位于成都市双流经济开发区物流园区。公司主要从事半导体高新材料技术开发、技术服务，集成电路、LED及精密玻璃抛光耗材的研发、制造、销售。公司拥有5000平米生产厂房，500平米无尘实验室和研发中心。公司于2013年9月13日已取得ISO9001：2008质量体系认证合格证书，并于2014年9月11日成功换证，将设计研发涵盖进公司质量体系范围。

公司研发技术团队是以美国硅谷龙头企业核心研发团队为骨干组成并拥有自主知识产权的技术，由张莉娟女士带领的国际团队为研发起始阶段重要技术人员，均有10到20年的化学机械研磨经验，其中包括已在半导体化学机械抛光领域工作超过20年以上的美国专家HarveyPinder，是目前在CMP领域中无法超越的国际化团队。公司董事长易兴旺，总经理李长俊，均有二十多年的大型国有企业财务，生产，质量及项目管理等丰富经验。

在研发技术团队的带领下，公司已经成功研发出空心和实心两类基底材料的TL1212/I、TL1212/II、TL1232等多款产品，分别用于8英寸芯片制造的Oxide、Tungsten、晶圆回收以及用于12英寸芯片制造等CMP制程抛光，经客户和同行检测，8英寸CMP系列抛光垫的综合性能完全满足芯片CMP的要求，完全可以媲美甚至优于国外同类产品。现已量产，年产能可达8万片。用于12英寸的铜制程和氧化层抛光垫正在测试中。

技术优势方面，时代立夫的抛光垫在物理结构等方面比市场现有产品也有结构性的提升。根据CaiHong的研究认为：抛光垫本体弯曲和粗燥峰变引起的接触磨损是铜线产生蝶形凹陷（dishing）的主要原因，如果抛光垫本身的硬度低，压缩率高，粗糙度大，则更容易产生本体弯曲和粗燥峰变并造成接触磨损，该理论也得到了该行业的认可。为此我们通过先进的工艺，可精确控制孔隙的分布及孔隙率的大小，以及采用先进聚合物达到抛光垫最优化的硬度与模量性能比，大大降低65nm线宽下铜制程的dishing和erosion，冲刺10nm线宽技术中零erosion的技术壁垒。目前，公司已取得两项发明专利和两项实用新型专利，另有两项专利在台湾申请中。

公司在2013年11月已经取得了用于8”芯片制造的氧化层制程抛光垫订单，在今年又取得了用于8”芯片制造的钨丝制程抛光垫订单。目前，时代立夫抛光垫已经在国内大部分及新加坡的8”和12”晶圆厂展开了全面的线上评估，预计今年底将会签订两家新的客户订单。同时，时代立夫的蓝宝石衬底以及晶圆回收抛光垫也已经进入了客户端评估最后阶段，预计明年初取得客户订单。

在国家政策全力支持半导体产业链自主发展的前提下，时代立夫于2014年4月取得了国家《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》，即02专项的支持，已承担2014－2017年02科技重大专项20－14nm技术节点CMPSTI/SIO2工艺层和金属互联线Cu工艺层抛光垫研发项目，课题编号：2014ZX02301003－003－002．

公司秉”创新成就品牌，科技引领未来”的企业理念，通过科技创新、管理创新、人才创新的发展战略，打造出本土第一世界一流的精密抛光材料品牌。