2019年7月10日至14日，“中国材料大会2019”在四川省成都市中国西部国际博览城隆重举行。本次大会共设立能量转换与存储材料、热电材料及应用、核材料等42个分会，4个主题论坛，涵盖能源材料、环境材料、结构材料、功能材料和材料设计、制备与评价5大领域。大会参会人数7000余人，共收到论文摘要4200余篇，有2700余位专家学者报告介绍他们的最新研究成果，还有超过1200个墙报进行了展示交流。
由集成电路材料产业技术创新联盟承办，中国科学院上海微系统与信息技术研究所和北京多维电子材料技术开发与促进中心共同支持的“先进微电子与光电子材料分会场”同期举行。本次分会旨在促进我国微电子与光电子材料领域的专家、学者及企业界人士的交流与合作，共享微电子与光电子材料、工艺、器件研究的最新成果，达到互相促进共同提高的目的，进一步提升我国微电子与光电子材料领域学术水平和技术创新能力。
科技部副部长、原中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长王曦院士担任“先进微电子与光电子材料分会场”主席，香港中文大学汪正平院士作为分会场名誉主席，浙江大学杨德仁院士、中科院微电子研究所赵超研究员和ASML林庆煌博士共同担任分会场副主席。受王曦院士委托，赵超研究员代表王曦院士致分会场开幕词。来自全国各地的100余名微电子、光电子领域代表欢聚一堂，共同研讨微电子与光电子材料领域取得的最新成果。会场以邀请报告、口头报告和墙报的形式进行了为期三天的学术交流。这些报告涵盖了微电子与光电子材料的各个领域，包括： PCRAM、RRAM、FeRAM和忆阻器等存储材料与技术；GeSi、 GeSn、GaN、Ga2O3和其它应用于集成电路和光电器件制造用材料；Si、Ge、SOI、GOI、SiC和化合物半导体等衬底材料；CVD、ALD、刻蚀等工艺技术和材料； CMP抛光材料、高纯合金靶材等集成电路制造工艺材料；先进封装材料；自组装碳纳米管、石墨烯等碳基功能材料；新型二维材料；材料检测技术与方法；材料设计理论与计算模拟等。
